傳三星8層HBM3E晶片通過輝達測試　Q4有望供應

路透社引述3名知情人士說法報導，韓國三星電子第5代高頻寬記憶體（HBM）晶片的8層版本已通過輝達（NVIDIA）測試，可用於其人工智慧（AI）處理器。

消息人士透露，韓國三星電子第5代高頻寬記憶體（HBM）晶片的8層版本已通過輝達（NVIDIA）測試。（圖／三星）

這為全球最大記憶體晶片製造商三星電子（Samsung Electronics）清除一大障礙。在供應能夠處理生成式AI運作的先進記憶體晶片方面，三星一直努力追趕同國的競爭對手SK海力士（SK Hynix）。

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消息人士透露，三星和輝達尚未簽署8層HBM3E晶片的供應協議，但很快就會簽署。消息人士還說，預計會從2024年第4季開始供應。

然而，這些消息人士也說，三星的12層版本HBM3E晶片尚未通過輝達測試。

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三星和輝達都婉拒置評。

（中央社）